В.В. Атучин, Т.А. Гаврилова, Л.Д. Покровский (Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия), К.А. Кох (Институт геологии СО РАН, Новосибирск, Россия) Микроструктура кристаллов AgGaS2 Докладчик:Виктор Валерьевич Атучин
3
В.В. Бова, А.В. Лукша, Н.О. Соколова (Томский университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия), П.П. Гейко, И.С. Попов (Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, Томск, Россия) Преобразование частоты в кристаллах с регулярной доменной структурой Докладчик:Павел Пантелеевич Гейко
Дж.-Дж. Хуанг (Харбинский университет науки и технологий, Харбин, Китай), Ю.М. Андреев, Г.В. Ланский, А.В. Шайдуко (Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, Томск, Россия) Преобразование частоты высокоинтенсивного излучения в средний ИК диапазон Докладчик:Григорий Владимирович Ланский
Ж.-Х. Канг, Т.-Дж. Ванг (Цзилинский университет, Чанчунь, Китай), Ю.М. Андреев, Г.В. Ланский (Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, Томск, Россия) Корреляция условий фазового синхронизма и оптических свойств HgGa2S4 Докладчик:Юрий Михайлович Андреев